具备行业领先的纳微温控性能，全新650V和1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关，正式为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。发布

加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，第代为实现最快的快速开关速度、最高的和化硅效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、品系车载充电器（OBCs）、纳微电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。正式产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的发布行业标准封装，专为要求苛刻的第代高功率、高可靠性应用而设计。快速

G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，和化硅与CCM TPPFC系统中的品系竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。纳微这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。

G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。

“沟槽辅助平面栅”技术vs平面栅与沟槽栅

“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。

此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。

纳微半导体最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch³的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。

针对电动汽车市场，纳微半导体基于1200V/34mΩ（型号：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V双向车载充电机（OBC）+ 3kW DC-DC转换器的应用，能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。

审核编辑：彭菁